參數(shù)資料
型號: AS4LC1M16E0-70JC
英文描述: x16 EDO Page Mode DRAM
中文描述: x16 EDO公司頁面模式的DRAM
文件頁數(shù): 5/22頁
文件大?。?/td> 617K
代理商: AS4LC1M16E0-70JC
AS4C1M16E5
4/11/01; v.1.0
Alliance Semiconductor
P.
5 of 22
AC parameters common to all waveforms
Read cycle
Symbol
Parameter
-45
-50
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
RC
t
RP
t
RAS
t
CAS
t
RCD
t
RAD
t
RSH
t
CSH
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
T
t
REF
t
CP
t
RAL
t
ASC
t
CAH
Random read or write cycle time
75
80
100
ns
RAS precharge time
30
30
40
ns
RAS pulse width
45
10K
50
10K
60
10K
ns
CAS pulse width
8
10K
8
10K
10
10K
ns
RAS to CAS delay time
15
35
15
35
15
43
ns
9
RAS to column address delay time
8
25
9
25
10
30
ns
10
CAS to RAS hold time
10
10
10
ns
RAS to CAS hold time
40
40
50
ns
CAS to RAS precharge time
5
5
5
ns
Row address setup time
0
0
0
ns
Row address hold time
8
8
10
ns
Transition time (rise and fall)
1
50
1
50
1
50
ns
7,8
Refresh period
16
16
16
ms
6
CAS precharge time
8
8
10
ns
Column address to RAS lead time
25
25
30
ns
Column address setup time
0
0
0
ns
Column address hold time
8
8
10
ns
Symbol
Parameter
-45
-50
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
RCS
t
RCH
t
RRH
Access time from RAS
45
50
60
ns
9
Access time from CAS
10
12
15
ns
9,16
Access time from address
23
25
30
ns
10,16
Read command setup time
0
0
0
ns
Read command hold time to CAS
0
0
0
ns
12
Read command hold time to RAS
0
0
0
ns
12
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