參數(shù)資料
型號： AS4C256K16E0-45JC
英文描述： x16 EDO Page Mode DRAM
中文描述： x16 EDO公司頁面模式的DRAM
文件頁數(shù)： 22/25頁
文件大?。?/td> 521K
代理商： AS4C256K16E0-45JC
AS4C256K16FO
4/11/01;
V.0.9.1
Alliance Semiconductor
P. 22 of 25
CAS-before-RAS self refresh cycle
Typical AC and DC characteristics
t
RP
t
RASS
t
RPC
t
CP
t
CHS
t
CEZ
RAS
UCAS,
LCAS
DQ
t
RPS
t
CSR
t
RPC
Supply voltage (V)
4.0
5.5
6.0
5.0
4.5
0.8
0.9
1.1
1.2
1.0
1.3
1.4
1.5
N
Normalized access time t
RAC
vs. supply voltage V
CC
Ambient temperature (°C)
–55
80
125
35
–10
0.8
0.9
1.1
1.2
1.0
1.3
1.4
1.5
N
Normalized access time t
RAC
vs. ambient temperature T
a
Load capacitance (pF)
50
200
250
150
100
30
40
60
70
50
80
90
100
T
Typical access time t
RAC
vs. load capacitance C
L
T
a
= 25°C
–70
–60
–50
Supply voltage (V)
4.0
5.5
6.0
5.0
4.5
0.0
10
30
40
20
50
60
70
S
Typical supply current I
CC
vs. supply voltage V
CC
Ambient temperature (°C)
–55
80
125
35
–10
0.0
10
30
40
20
50
60
70
S
Typical supply current I
vs. ambient temperature T
a
Cycle rate (MHz)
2
8
10
6
4
0.0
5
15
20
10
25
30
35
P
Typical power-on current I
PO
vs. cycle rate 1/t
RC
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PDF描述
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參數(shù)描述
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