參數(shù)資料
型號: AS4C1M16E5-50TC
英文描述: DRAM|EDO|1MX16|CMOS|TSOP|50PIN|PLASTIC
中文描述: 內(nèi)存| EDO公司| 1MX16 |的CMOS |的TSOP | 50PIN |塑料
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代理商: AS4C1M16E5-50TC
AS4C1M16E5
4/11/01; v.1.0
Alliance Semiconductor
P.
6 of 22
Write cycle
Read-modify-write cycle
Refresh cycle
Symbol
Parameter
-45
-50
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
Write command setup time
0
0
0
ns
14
Write command hold time
10
10
10
ns
14
Write command pulse width
10
10
10
ns
Write command to RAS lead time
10
10
10
ns
Write command to CAS lead time
8
8
10
ns
Data-in setup time
0
0
0
ns
15
Data-in hold time
8
8
10
ns
15
Symbol
Parameter
-45
-50
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
Read-write cycle time
105
113
135
ns
RAS to WE delay time
65
67
77
ns
14
CAS to WE delay time
30
32
35
ns
14
Column address to WE delay time
40
42
47
ns
14
Symbol
Parameter
-45
-50
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
CSR
t
CHR
t
RPC
CAS setup time (CAS-before-RAS
)
5
5
5
ns
6
CAS hold time (CAS-before-RAS)
8
8
10
ns
6
RAS precharge to CAS hold time
0
0
0
ns
t
CPT
CAS precharge time
(CBR counter test)
10
10
10
ns
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PDF描述
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參數(shù)描述
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