參數(shù)資料
型號(hào): AS4C1M16E5-50JI
英文描述: x16 EDO Page Mode DRAM
中文描述: x16 EDO公司頁(yè)面模式的DRAM
文件頁(yè)數(shù): 6/22頁(yè)
文件大小: 617K
代理商: AS4C1M16E5-50JI
AS4C1M16E5
4/11/01; v.1.0
Alliance Semiconductor
P.
6 of 22
Write cycle
Read-modify-write cycle
Refresh cycle
Symbol
Parameter
-45
-50
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
Write command setup time
0
0
0
ns
14
Write command hold time
10
10
10
ns
14
Write command pulse width
10
10
10
ns
Write command to RAS lead time
10
10
10
ns
Write command to CAS lead time
8
8
10
ns
Data-in setup time
0
0
0
ns
15
Data-in hold time
8
8
10
ns
15
Symbol
Parameter
-45
-50
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
Read-write cycle time
105
113
135
ns
RAS to WE delay time
65
67
77
ns
14
CAS to WE delay time
30
32
35
ns
14
Column address to WE delay time
40
42
47
ns
14
Symbol
Parameter
-45
-50
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
CSR
t
CHR
t
RPC
CAS setup time (CAS-before-RAS
)
5
5
5
ns
6
CAS hold time (CAS-before-RAS)
8
8
10
ns
6
RAS precharge to CAS hold time
0
0
0
ns
t
CPT
CAS precharge time
(CBR counter test)
10
10
10
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AS4C1M16E5-50TC DRAM|EDO|1MX16|CMOS|TSOP|50PIN|PLASTIC
AS4C256K16F0-35TI x16 Fast Page Mode DRAM
AS4C256K16F0-50JC x16 Fast Page Mode DRAM
AS4C256K16F0-50JI x16 Fast Page Mode DRAM
AS4C256K16F0-50TC x16 Fast Page Mode DRAM
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參數(shù)描述
AS4C1M16E5-50TC 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:DRAM|EDO|1MX16|CMOS|TSOP|50PIN|PLASTIC
AS4C1M16E5-50TI 制造商:ALSC 制造商全稱(chēng):Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)
AS4C1M16E560JC 制造商:Alliance Memory Inc 功能描述:
AS4C1M16E5-60JC 制造商:ALSC 制造商全稱(chēng):Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)
AS4C1M16E5-60JI 制造商:ALSC 制造商全稱(chēng):Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)