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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AS29F200B-70TI |
| 廠商： | ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM |
| 中文描述： | 128K X 16 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, TSOP-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 13/20頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 375K |
| 代理商： | AS29F200B-70TI |
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Parameter
Write cycle time
Address setup time
Address hold time
Data setup time
Data hold time
Output enable setup time
Output enable hold time: Read
Output enable hold time:
Toggle and DATA polling
RESET pin low to read mode
RESET
Read recover time before write
CE setup time
CE hold time
Write pulse width
Write pulse width high
Programming pulse time
Erase pulse time
-55
-70
-90
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Min
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Min
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Min
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Addresses
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DATA
V
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WC
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AS
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GHWL
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WP
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WPH
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DH
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WHWH1 or 2
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DS
DQ7
D
OUT
Programaddress
Programaddress
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Program
data
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS29F200B-90SC | 5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM |
| AS29F200B-90SI | 5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM |
| AS29F200B-90TC | 5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM |
| AS29F200B-90TI | 5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM |
| AS29F200T-120SC | 5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AS29F200B-90SC | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM |
| AS29F200B-90SI | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM |
| AS29F200B-90TC | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM |
| AS29F200B-90TI | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM |
| AS29F200T-120SC | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM |
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