參數(shù)資料
型號： AS29F040-55TI
廠商： ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM
中文描述： 512K X 8 FLASH 5V PROM, 55 ns, PDSO32
封裝： 8 X 20 MM, TSOP-32
文件頁數(shù)： 12/18頁
文件大?。?/td> 341K
代理商： AS29F040-55TI
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ZDYHIRUPV
Rising input
5HDG
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ZDYHIRUP
JEDEC
Symbol
Std
Symbol
Parameter
-55
-70
-90
-120
-150
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
RC
t
ACC
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
Read cycle time
55
-
70
-
90
-
120
-
150
-
ns
Address to output delay
-
55
-
70
-
90
-
120
-
150
ns
Chip enable to output
-
55
-
70
-
90
-
120
-
150
ns
Output enable to output
-
25
-
30
-
35
-
50
-
55
ns
Chip enable to output High Z
-
15
-
20
-
20
-
30
-
35
ns
Output enable to output High Z
-
15
-
20
-
20
-
30
-
35
ns
t
AXQX
t
OH
Output hold time from addresses,
CE or OE, whichever occurs first
0
-
0
-
0
-
0
-
0
-
ns
Undefined / don’t care
Falling input
Addressesstabe
Addresses
t
RC
t
ACC
t
OE
t
CE
t
OH
t
DF
CE
OE
WE
Outputs
HighZ
High Z
Output vaid
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PDF描述
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