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參數(shù)資料
| 型號： | AS29F010-120LC |
| 廠商： | ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 5V 128K x 8 CMOS FLASH EEPROM |
| 中文描述： | 128K X 8 FLASH 5V PROM, 120 ns, PQCC32 |
| 封裝： | 0.550 X 0.450 INCH, PLASTIC, LCC-32 |
| 文件頁數(shù)： | 1/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 175K |
| 代理商： | AS29F010-120LC |
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Copyright 1998 Alliance Semiconductor. All rights reserved.
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JXLGH
AS29F010-120
120
120
50
AS29F010-150
150
150
50
Unit
ns
ns
ns
Maximum access time
Chip enable access time
Output enable access time
t
AA
t
CE
t
OE
3LQ
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DUUDQJHPHQW
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WE
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DQ7
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NC
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DQ0
DQ1
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V
SS
V
CC
NC
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OE
CE
DQ7
A3
A2
A1
A0
DQ0
V
SS
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1
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1
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A
3
A
2
A
1
N
3
V
C
3
W
3
N
DQ0
32-pin
PLCC
32-pin
TSOP
32-pin
PDIP
AS29F010
AS29F010
A
)HDWXUHV
Organization: 128K × 8 bits
Sector Erase architecture
- Four 32K × 8 sectors
Single 5.0±0.5V power supply for read/write operations
High speed 120/150 ns address access time
Low power consumption:
- 30 mA maximum read current
- 50 mA maximum program current
- 1.5 mA maximum standby current
- 1 mA maximum standby current (low power)
10,000 write/erase cycle endurance
JEDEC standard write cycle commands
- protects data from accidental changes
Program/erase cycle end signals:
- Data polling
- DQ6 toggle
Low V
CC
write lock-out below 3.2V
JEDEC standard packages and pinouts:
- 32-pin DIP
- 32-pin PLCC
- 32-pin TSOP
/RJLF
#
EORFN
#
GLDJUDP
WE
CE
OE
A
0
~A
16
Low V
CC
detector
Ppulse timer
State
register
Eraswitch
Inbuffers
Progswitch
Data
Chip enable
Output enable
Logic
X-Decoder
Y-Gating
Y-Decoder
Cell matrix
A
DQ
0
~DQ
7
V
CC
V
SS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| AS29F010-120TC | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 128K x 8 CMOS FLASH EEPROM |
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