參數(shù)資料
型號(hào)： APTGU60DA120T
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 90 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-12
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 192K
代理商： APTGU60DA120T
APTGU60DA120T
A
PT
G
U
60
D
A
12
0T
–
R
ev
1
ju
ne
,2
00
3
APT website – http://www.advancedpower.com
1 - 3
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
1200
V
Tc = 25°C
90
IC
Continuous Collector Current
Tc = 80°C
60
ICM
Pulsed Collector Current
Tc = 25°C
210
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
Tc = 25°C
390
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area
Tj = 150°C
210A @ 960V
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
VBUS
OUT
NTC2
NTC1
0/VBUS
E2
G2
VBUS
SENSE
VCES = 1200V
IC = 60A @ Tc = 80°C
Application
AC and DC motor control
Switched Mode Power Supplies
Power Factor Correction
Features
Power MOS 7 Punch Through (PT) IGBT
-
Low conduction loss
-
Ultra fast tail current shutoff
-
Low gate charge
-
Switching frequency capability in the 50kHz
range
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
Kelvin emitter for easy drive
Very low stray inductance
-
Symmetrical design
-
Lead frames for power connections
Internal thermistor for temperature monitoring
High level of integration
Benefits
Outstanding performance at high frequency
operation
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Solderable terminals both for power and signal for
easy PCB mounting
Low profile
Boost chopper
PT IGBT Power Module
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGU70A60T 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGU70DA60T 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGU90DH120 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGU90H120 130 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTM100A12ST 68 A, 1000 V, 0.12 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGV100H60BTPG 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP6P RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGV100H60T3G 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGV15H120T3G 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGV25H120BG 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGV25H120T3G 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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