參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT75X60T3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 271K
代理商： APTGT75X60T3G
APTGT75X60T3G
A
P
TGT75X60T3G
–
Re
v0
Ju
ly,
20
07
www.microsemi.com
1- 5
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
600
V
TC = 25°C
100*
IC
Continuous Collector Current
TC = 80°C
75*
ICM
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
150
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC = 25°C
250
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area
TJ = 150°C
150A @ 550V
* Specification of IGBT device but output current must be limited to 40A at Tc=80°C and 65A at Tc=25°C not to
exceed a connectors temperature greater than 120°C.
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed. See application note
APT0502 on www.microsemi.com
31
14
R1
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2
28
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23
15
20
16
19
10
18
22
30
29
3
4
8
7
11
12
It is recommended to connect a decoupling capacitor
between pins 31 & 2 to reduce switching overvoltages, if DC
Power is connected between pins 15, 16 & 12.
Pins 15 & 16 must be shorted together.
16
15
18
20
23 22
13
11 12
14
8
7
29
30
28 27 26
3
32
31
10
19
2
25
4
VCES = 600V
IC = 75A* @ Tc = 80°C
Application
Motor control
Features
Trench + Field Stop IGBT Technology
- Low voltage drop
- Low tail current
- Switching frequency up to 20 kHz
- Soft recovery parallel diodes
- Low diode VF
- Low leakage current
- RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
Very low stray inductance
High level of integration
Internal thermistor for temperature monitoring
Benefits
Outstanding performance at high frequency
operation
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Solderable terminals both for power and signal
for easy PCB mounting
Low profile
RoHS compliant
3 Phase bridge
Trench + Field Stop IGBT
Power Module
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGU100DH60 145 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGU140DA60T 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGU140DU60T 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGU180A120 250 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGU180DU120 250 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGTQ100A65T1G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.2V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APTGTQ100DA65T1G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:升壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.2V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APTGTQ100DDA65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:雙路升壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.2V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APTGTQ100H65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:全橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.2V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APTGTQ100SK65T1G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:降壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.2V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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