參數(shù)資料
型號: APTGT75TDU60P
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-21
文件頁數(shù): 3/5頁
文件大?。?/td> 282K
代理商: APTGT75TDU60P
APTGT75TDU60P
A
P
T
G
T
75
T
D
U
60P
R
ev
0,
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
3 - 5
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.60
RthJC
Junction to Case
Diode
0.98
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
175
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
100
°C
Torque Mounting torque
To heatsink
M6
3
5
N.m
Wt
Package Weight
250
g
Package outline (dimensions in mm)
5 places (3:1)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT75X120BTP3 60 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75X120BTP3 60 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75X120RTP3 105 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75X120RTP3 105 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75X120E3G 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT75TDU60PG 功能描述:IGBT MOD TRPL DUAL SOURCE SP6-P RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT75TL60T3G 功能描述:POWER MODULE IGBT 600V 75A SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT75X120BTP3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module
APTGT75X120BTPG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGT75X120E3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:3 Phase bridge Trench IGBT Power Module