參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT75SK120T
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-12
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 278K
代理商： APTGT75SK120T
APTGT75SK120T
A
P
T
G
T
75
S
K
120T
–
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
125
150
01
234
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=17V
VGE=9V
0
25
50
75
100
125
150
01234
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 125°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
125
150
5
6
7
8
9
101112
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Er
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
255075
100
125
150
IC (A)
E
(
m
J
)
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 4.7
TJ = 125°C
Eon
Eoff
Er
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
4
8
12
16
20
24
28
32
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 600V
VGE =15V
IC = 75A
TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
25
50
75
100
125
150
175
0
400
800
1200
1600
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=125°C
RG=4.7
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
T
h
er
m
a
lIm
p
e
d
an
c
e(
°C
/W
)
IGBT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT75SK60T1G 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75TA120P 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75TA120P 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75TDU120P 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75TDU120P 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT75SK120T1G 功能描述:IGBT 1200V 110A 357W SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT75SK120TG 功能描述:IGBT 1200V 110A 357W SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT75SK170D1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper Trench IGBT Power Module
APTGT75SK170D1G 功能描述:IGBT 1700V 120A 520W D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT75SK60T1G 功能描述:IGBT 600V 100A 250W SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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