參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT75SK120T
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-12
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 278K
代理商： APTGT75SK120T
APTGT75SK120T
A
P
T
G
T
75
S
K
120T
–
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1200V
250
A
Tj = 25°C
1.7
2.1
VCE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
VGE = 15V
IC = 75A
Tj = 125°C
2.0
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 2 mA
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
400
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
5345
Coes
Output Capacitance
280
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
240
pF
Td(on)
Turn-on Delay Time
280
Tr
Rise Time
40
Td(off)
Turn-off Delay Time
450
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 75A
RG = 4.7
75
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
290
Tr
Rise Time
45
Td(off)
Turn-off Delay Time
550
Tf
Fall Time
90
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
7
Eoff
Turn-off Switching Energy
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 75A
RG = 4.7
8
mJ
Chopper diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
1200
V
Tj = 25°C
250
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=1200V
Tj = 125°C
500
A
IF(AV)
Maximum Average Forward Current
50% duty cycle
Tc = 80°C
75
A
Tj = 25°C
1.5
2.0
VF
Diode Forward Voltage
IF = 75A
Tj = 125°C
1.4
V
Tj = 25°C
150
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
250
ns
Tj = 25°C
7
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 75A
VR = 600V
di/dt =2000A/s
Tj = 125°C
13.5
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT75SK120T 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75SK60T1G 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75TA120P 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75TA120P 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75TDU120P 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT75SK120T1G 功能描述:IGBT 1200V 110A 357W SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT75SK120TG 功能描述:IGBT 1200V 110A 357W SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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