參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT75DU120T
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-12
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 278K
代理商： APTGT75DU120T
APTGT75DU120T
A
P
T
G
T
75
D
U
120
T
–
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1200V
250
A
Tj = 25°C
1.7
2.1
VCE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
VGE = 15V
IC = 75A
Tj = 125°C
2.0
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 2 mA
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
400
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
5345
Coes
Output Capacitance
280
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
240
pF
Td(on)
Turn-on Delay Time
280
Tr
Rise Time
40
Td(off)
Turn-off Delay Time
450
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 75A
RG = 4.7
75
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
290
Tr
Rise Time
45
Td(off)
Turn-off Delay Time
550
Tf
Fall Time
90
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
7
Eoff
Turn-off Switching Energy
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 75A
RG = 4.7
8
mJ
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
1200
V
Tj = 25°C
250
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=1200V
Tj = 125°C
500
A
IF(AV)
Maximum Average Forward Current
50% duty cycle
Tc = 80°C
75
A
Tj = 25°C
1.6
2.1
VF
Diode Forward Voltage
IF = 75A
Tj = 125°C
1.6
V
Tj = 25°C
170
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
280
ns
Tj = 25°C
7
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 75A
VR = 600V
di/dt =2000A/s
Tj = 125°C
14
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT75H60T3 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75H60T3 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75SK120T 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75SK120T 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75SK60T1G 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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