參數(shù)資料
型號： APTGT75DA170D1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 130 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, D1, 7 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 182K
代理商： APTGT75DA170D1G
APTGT75DA170D1G
APTG
T75DA170
T1G
–
Rev
1
D
ecem
ber,
2009
www.microsemi.com
4 – 4
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
125
150
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
VCE (V)
I C
(A)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=20V
VGE=9V
0
37.5
75
112.5
150
01
2
345
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 125°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
37.5
75
112.5
150
56
7
8
9
10
11
VGE (V)
I C
(A)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Err
0
20
40
60
80
0
37.5
75
112.5
150
IC (A)
E
(
m
J
)
VCE = 900V
VGE = 15V
RG = 18
TJ = 125°C
Eon
Eoff
Err
0
25
50
75
100
0
20406080
100 120 140
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 900V
VGE =15V
IC = 75A
TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
25
50
75
100
125
150
175
0
400
800
1200
1600
2000
VCE (V)
I C
(A)
VGE=15V
TJ=125°C
RG=18
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
e
rma
lI
m
pe
d
a
nc
e
(
°C
/W
)
IGBT
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522 5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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PDF描述
APTGT75DDA60T3 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75DDA60T3 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75DH120T 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75DH120T 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75DH60T3G 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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APTGT75DA60T1G 功能描述:POWER MOD IGBT 600V 100A SP1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGT75DDA60T3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT75DDA60T3G 功能描述:IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGT75DH120T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Asymmetrical - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
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