參數(shù)資料
型號： APTGT600U170D4
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 1100 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-4
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 189K
代理商： APTGT600U170D4
APTGT600U170D4
A
PT
G
T
60
0U
17
0D
4
–
R
ev
0
Ja
nu
ar
y,
20
04
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 3
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
BVCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
VGE = 0V, IC = 16mA
1700
V
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1700V
16
mA
Tj = 25°C
2.0
2.4
VCE(on) Collector Emitter on Voltage
VGE = 15V
IC = 600A
Tj = 125°C
2.4
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 24 mA
5.2
5.8
6.4
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
800
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
Cies
Input Capacitance
51
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V, VCE = 25V
f = 1MHz
1.8
nF
Td(on)
Turn-on Delay Time
280
Tr
Rise Time
100
Td(off)
Turn-off Delay Time
850
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 900V
IC = 600A
RG = 2.2
150
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
330
Tr
Rise Time
100
Td(off)
Turn-off Delay Time
1000
Tf
Fall Time
230
ns
Eoff
Turn Off Energy
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 900V
IC = 600A
RG = 2.2
190
mJ
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
Tj = 25°C
1.8
2.2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 600A
VGE = 0V
Tj = 125°C
1.9
V
Tj = 25°C
80
Er
Reverse Recovery Energy
IF = 600A
VR = 900V
di/dt =900A/s Tj = 125°C
140
mJ
Tj = 25°C
150
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 600A
VR = 900V
di/dt =900A/s Tj = 125°C
250
C
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.040
RthJC
Junction to Case
Diode
0.065
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min,
I isol<1mA, 50/60Hz
3500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
125
°C
M4
1
2
Torque Mounting torque
M6
3
5
N.m
Wt
Package Weight
420
g
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT600U170D4 1100 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75A170D1G 130 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75DA120T1G 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75DA170D1G 130 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75DDA60T3 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT600U170D4G 功能描述:IGBT TRENCH SGL SWITCH 1700V D4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT750U60D4G 功能描述:IGBT 600V 1000A 2300W D4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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APTGT75A120D1G 功能描述:IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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