參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT600DU60
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module
中文描述： 雙共源戴場(chǎng)站IGBT功率模塊
文件頁(yè)數(shù)： 5/5頁(yè)
文件大?。?/td> 279K
代理商： APTGT600DU60
APTGT600DU60
A
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 5
Forward Characteristic of diode
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=150°C
0
200
400
600
800
1000
1200
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
V
F
(V)
I
C
Hard
switching
ZCS
ZVS
0
20
40
60
80
100
120
0
200
400
600
800
1000
I
C
(A)
F
V
CE
=300V
D=50%
R
G
=2
T
J
=150°C
T
c
=85°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.00001
0.0001
0.001
Rectangular Pulse Duration in Seconds
0.01
0.1
1
10
T
Diode
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT600SK60 Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT600U120D4 Single switch Trench IGBT Power Module
APTGT600U170D4G Single switch Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT75A120T Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
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參數(shù)描述
APTGT600DU60G 功能描述:IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT600SK60 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT600SK60G 功能描述:IGBT TRENCH BUCK CHOP 600V SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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