參數(shù)資料
型號： APTGT600A60
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
中文描述： 相腳戴場站IGBT功率模塊
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 279K
代理商： APTGT600A60
APTGT600A60
A
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ T
j
= 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
Test Conditions
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
V
GE
=15V
I
C
= 600A
V
GE
= V
CE
, I
C
= 2mA
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
Min
5.0
Typ
1.4
1.5
5.8
Max
750
1.8
6.5
800
Unit
μA
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
V
CE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
V
V
GE(th)
I
GES
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
E
on
Turn on Energy
E
off
Turn off Energy
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
V
RRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate – Emitter Leakage Current
V
nA
Test Conditions
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
f = 1MHz
Inductive Switching (25°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 300V
I
C
= 600A
R
G
= 2
Inductive Switching (150°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 300V
I
C
= 600A
R
G
= 2
Min
Typ
49
3.1
1.5
130
55
250
60
145
60
320
80
10.5
21
Max
Unit
nF
ns
ns
mJ
Test Conditions
Min
600
Typ
600
1.5
1.4
125
220
27
57
Max
750
1000
1.9
Unit
V
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
Tc = 80°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
I
RM
Maximum Reverse Leakage Current
V
R
=600V
μA
I
F(AV)
Maximum Average Forward Current
50% duty cycle
I
F
= 600A
V
GE
= 0V
A
V
F
Diode Forward Voltage
V
t
rr
Reverse Recovery Time
ns
Q
rr
Reverse Recovery Charge
I
F
= 600A
V
R
= 300V
di/dt =5000A/μs
μC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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