參數(shù)資料
型號： APTGT50TDU170P
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 70 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-21
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 287K
代理商： APTGT50TDU170P
APTGT50TDU170P
A
P
T
G
T
50
T
D
U
170P
–
R
ev
0,
S
ept
em
be
r,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
BVCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
VGE = 0V, IC = 2.5mA
1700
V
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1700V
5
mA
Tj = 25°C
2.0
2.4
VCE(on)
Collector Emitter on Voltage
VGE =15V
IC = 50A
Tj = 125°C
2.4
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 2.5 mA
5.0
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
600
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
4400
Crss
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V ;VCE = 25V
f = 1MHz
150
pF
Td(on)
Turn-on Delay Time
200
Tr
Rise Time
90
Td(off)
Turn-off Delay Time
720
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 900V
IC = 50A
RG = 22
90
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
220
Tr
Rise Time
90
Td(off)
Turn-off Delay Time
820
Tf
Fall Time
110
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
29
Eoff
Turn-off Switching Energy
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 900V
IC = 50A
RG = 22
Diode
22
mJ
Eon includes diode reverse recovery
In accordance with JEDEC standard JESD24-1
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
1700
V
Tj = 25°C
250
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=1700V
Tj = 125°C
500
A
Tj = 25°C
1.8
2.2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 50A
VGE = 0V
Tj = 125°C
1.9
V
Tj = 25°C
19
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 50A
VR = 900V
di/dt =990A/s
Tj = 125°C
30
C
相關PDF資料
PDF描述
APTGT50TL601G 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50X120BTP3 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50X120RTP3G 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50X120BTP3G 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT50TDU170PG 功能描述:IGBT MOD TRIPLE DUAL SOURCE SP6P RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGT50TDU60P 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Triple Dual Common Source Trench + Field Stop IGBT Power Module
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APTGT50TL60T3G 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Three level inverter Trench + Field Stop IGBT Power Module
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