參數(shù)資料
型號： APTGT50H170T
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 75 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-14
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 280K
代理商： APTGT50H170T
APTGT300A60
A
P
T
G
T
300
A
60
–
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 600V
350
A
Tj = 25°C
1.4
1.8
VCE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
VGE =15V
IC = 300A
Tj = 150°C
1.5
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 1.5 mA
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
500
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
24
Coes
Output Capacitance
1.5
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
0.75
nF
Td(on)
Turn-on Delay Time
115
Tr
Rise Time
45
Td(off)
Turn-off Delay Time
200
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 300A
RG = 3.3
55
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
120
Tr
Rise Time
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
250
Tf
Fall Time
70
ns
Eon
Turn on Energy
5.2
Eoff
Turn off Energy
Inductive Switching (150°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 300A
RG = 3.3
10.5
mJ
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
600
V
Tj = 25°C
350
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=600V
Tj = 150°C
600
A
IF(AV)
Maximum Average Forward Current
50% duty cycle
Tc = 80°C
300
A
Tj = 25°C
1.5
1.9
VF
Diode Forward Voltage
IF = 300A
VGE = 0V
Tj = 150°C
1.4
V
Tj = 25°C
120
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 150°C
210
ns
Tj = 25°C
13.5
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 300A
VR = 300V
di/dt =3100A/s
Tj = 150°C
28.5
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT50H170T 75 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50SK120D1G 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50SK120D1 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50SK120D1 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50SK120TG 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT50H170TG 功能描述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT50H60RT3G 功能描述:POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT50H60T1G 功能描述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT50H60T3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT50H60T3G 功能描述:POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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