參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT50DDA120T3
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-25
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 289K
代理商： APTGT50DDA120T3
APTC80DDA29T3
AP
T
C
80
DDA2
9T3
–R
ev
0
S
ept
em
be
r,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
5 – 6
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
-50
0
50
100
150
TJ, Junction Temperature (°C)
BV
DS
S,
D
ra
in
to
S
our
c
e
B
re
a
k
dow
n
Vo
lt
a
g
e
(N
o
rm
al
iz
ed
)
Breakdown Voltage vs Temperature
ON resistance vs Temperature
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-50
0
50
100
150
TJ, Junction Temperature (°C)
R
DS
(o
n
),
D
rai
n
t
o
S
o
u
rce
O
N
r
esi
st
an
ce
(N
or
m
a
li
ze
d)
VGS=10V
ID= 7.5A
Threshold Voltage vs Temperature
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
-50
0
50
100
150
TC, Case Temperature (°C)
V
GS
(T
H
),
Th
re
shol
d
V
o
lt
ag
e
(N
o
rma
li
ze
d
)
Maximum Safe Operating Area
100ms
10ms
1ms
100s
0
1
10
100
1
10
100
1000
VDS, Drain to Source Voltage (V)
I D
,D
ra
in
C
u
rr
e
nt
(
A
)
limited by
RDSon
Single pulse
TJ=150°C
Ciss
Crss
Coss
10
100
1000
10000
0
1020
3040
50
VDS, Drain to Source Voltage (V)
C
,C
a
p
aci
ta
n
ce
(
p
F
)
Capacitance vs Drain to Source Voltage
VDS=160V
VDS=400V
VDS=640V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
20406080
100
Gate Charge (nC)
Gate Charge vs Gate to Source Voltage
V
GS
,G
a
te
t
o
S
o
u
rce
V
o
lt
ag
e
(V
)
ID=15A
TJ=25°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT50DDA60T3 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50DDA60T3 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50DH170T 75 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50DH170T 75 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50DH60T 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT50DDA120T3G 功能描述:POWER MOD IGBT TRENCH BOOST SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT50DDA60T3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT50DDA60T3G 功能描述:IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT50DH120T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Asymmetrical - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT50DH120T3G 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Asymmetrical - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*