參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT50DDA120T3
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-25
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大小： 289K
代理商： APTGT50DDA120T3
APTC80DDA29T3
AP
T
C
80
DDA2
9T3
–R
ev
0
S
ept
em
be
r,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
4 – 6
Typical performance Curve
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
a
lI
m
pe
da
nc
e
(°
C
/W
)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
4V
4.5V
5V
5.5V
6V
6.5V
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
5
10
15
20
25
VDS, Drain to Source Voltage (V)
I D
,Dr
a
in
Cu
rr
e
n
t
(A
)
VGS=15&10V
Low Voltage Output Characteristics
Transfert Characteristics
TJ=-55°C
TJ=25°C
TJ=125°C
0
10
20
30
40
50
01
2345678
VGS, Gate to Source Voltage (V)
I D
,D
ra
in
C
u
rr
e
nt
(
A
)
VDS > ID(on)xRDS(on)MAX
250s pulse test @ < 0.5 duty cycle
RDS(on) vs Drain Current
VGS=10V
VGS=20V
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
0
5
10
15
20
25
30
ID, Drain Current (A)
R
DS
(o
n
)
D
rai
n
t
o
S
o
u
rce
O
N
R
esi
st
an
ce
Normalized to
VGS=10V @ 7.5A
0
2
4
6
8
10
12
14
16
25
50
75
100
125
150
TC, Case Temperature (°C)
I D
,DC
Dr
a
in
C
u
rr
e
n
t(
A
)
DC Drain Current vs Case Temperature
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT50DDA120T3 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50DDA60T3 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50DDA60T3 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50DH170T 75 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50DH170T 75 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT50DDA120T3G 功能描述:POWER MOD IGBT TRENCH BOOST SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT50DDA60T3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT50DDA60T3G 功能描述:IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT50DH120T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Asymmetrical - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT50DH120T3G 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Asymmetrical - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
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