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參數(shù)資料
| 型號： | APTGT50DA170D1 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 70 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-7 |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 185K |
| 代理商： | APTGT50DA170D1 |
APTGT50DA170D1
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Package outline
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5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT50DA170D1 | 70 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT50DDA120T3 | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT50DDA120T3 | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT50DDA60T3 | 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT50DDA60T3 | 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APTGT50DA170D1G | 功能描述:IGBT 1700V 70A 310W D1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGT50DA170T | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT50DA170T1G | 功能描述:IGBT 1700V 75A 312W SP1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGT50DA170TG | 功能描述:IGBT 1700V 75A 312W SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGT50DDA120T3 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual Boost chopper Trench IGBT Power Module |
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