參數(shù)資料
型號： APTGT50DA120T
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-12
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 277K
代理商： APTGT50DA120T
APTGT50DA120T
A
P
T
G
T
50
D
A
120
T
–
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
20
40
60
80
100
00.511.522.5
33.5
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=17V
VGE=9V
0
20
40
60
80
100
01234
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 125°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
20
40
60
80
100
5
6
7
8
9
101112
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Er
0
2
4
6
8
10
12
0
204060
80
100
IC (A)
E
(
m
J
)
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 18
TJ = 125°C
Eon
Eoff
Er
0
2
4
6
8
10
12
0
1020304050
6070
80
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 600V
VGE =15V
IC = 50A
TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
20
40
60
80
100
120
0
300
600
900
1200
1500
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=125°C
RG=18
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
T
h
er
m
a
lIm
p
e
d
an
c
e(
°C
/W
)
IGBT
相關PDF資料
PDF描述
APTGT50DA170T1G 75 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50DA170T 75 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50DA170T 75 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50DH120T 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50DH120T 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT50DA120TG 功能描述:IGBT 1200V 75A 277W SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGT50DA170D1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Boost chopper Trench IGBT Power Module
APTGT50DA170D1G 功能描述:IGBT 1700V 70A 310W D1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGT50DA170T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT50DA170T1G 功能描述:IGBT 1700V 75A 312W SP1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
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