參數(shù)資料
型號(hào): APTGT50DA120D1G
廠商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-7
文件頁數(shù): 3/3頁
文件大小: 185K
代理商: APTGT50DA120D1G
APTGT50DA120D1
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PDF描述
APTGT50DA170D1G 70 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50DA170D1 70 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50DA170D1 70 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50DDA120T3 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
APTGT50DA120TG 功能描述:IGBT 1200V 75A 277W SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT50DA170D1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Boost chopper Trench IGBT Power Module
APTGT50DA170D1G 功能描述:IGBT 1700V 70A 310W D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT50DA170T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT50DA170T1G 功能描述:IGBT 1700V 75A 312W SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B