參數(shù)資料
型號: APTGT450DA60
廠商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 550 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-5
文件頁數(shù): 5/5頁
文件大小: 267K
代理商: APTGT450DA60
APTGT450DA60
A
P
T
G
T
450
D
A
60
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 5
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
200
400
600
800
1000
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
VF (V)
I C
(A
)
Hard
switching
ZCS
ZVS
0
20
40
60
80
100
120
0
200
400
600
800
IC (A)
F
m
ax
,O
p
er
at
in
g
F
req
u
e
n
cy
(
k
H
z)
VCE=300V
D=50%
RG=2.2
TJ=150°C
Tc=85°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
0.16
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration in Seconds
The
rm
a
lI
m
p
e
da
n
c
e
(
°C
/W
)
Diode
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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PDF描述
APTGT50A120D1 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50A120D1G 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50A120D1 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50A120T 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50A120T 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
APTGT450DA60G 功能描述:IGBT 600V 550A 1750W SP6 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT450DU60 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module
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APTGT450SK60 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT450SK60G 功能描述:IGBT 600V 550A 1750W SP6 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設(shè)備封裝:SOT-227B