參數(shù)資料
型號： APTGT400DA120D3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, D3, 7 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 212K
代理商： APTGT400DA120D3G
APTGT400DA120D3G
APT
G
T
400DA120
D3G
–
Rev
0
Septem
ber
,2008
www.microsemi.com
2- 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1200V
750
A
Tj = 25°C
1.7
2.1
VCE(sat)
Collector Emitter saturation Voltage
VGE = 15V
IC = 400A
Tj = 125°C
2.0
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 12mA
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
400
nA
Dynamic Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
29
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V ; VCE = 25V
f = 1MHz
1.3
nF
QG
Gate charge
VGE=±15V, IC=400A
VCE=600V
3.7
C
Td(on)
Turn-on Delay Time
250
Tr
Rise Time
90
Td(off)
Turn-off Delay Time
550
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 400A
RG = 1.8Ω
130
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
300
Tr
Rise Time
100
Td(off)
Turn-off Delay Time
650
Tf
Fall Time
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 400A
RG = 1.8Ω
180
ns
Eon
Turn on Energy
Tj = 125°C
36
Eoff
Turn off Energy
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 400A
RG = 1.8Ω
Tj = 125°C
62
mJ
Isc
Short Circuit data
VGE ≤15V ; VBus = 900V
tp ≤ 10s ; Tj = 125°C
1600
A
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
1200
V
Tj = 25°C
750
IRRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=1200V
Tj = 125°C
1000
A
IF
DC Forward Current
Tc = 80°C
400
A
Tj = 25°C
1.6
2.1
VF
Diode Forward Voltage
IF = 400A
VGE = 0V
Tj = 125°C
1.6
V
Tj = 25°C
170
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
280
ns
Tj = 25°C
36
Qrr
Reverse Recovery Charge
Tj = 125°C
72
C
Tj = 25°C
20
Err
Reverse Recovery Energy
IF = 400A
VR = 600V
di/dt =4000A/s
Tj = 125°C
36
mJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT400U120D4 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT400U120D4 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT400U170D4G 800 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT450A60 550 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT450A60 550 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT400DA120G 功能描述:IGBT 1200V 560A 1785W SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT400DA60D3G 功能描述:IGBT 600V 500A 1250W D3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT400DA60D3G_11 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Boost chopper Trench + Field Stop IGBT3 Power Module
APTGT400DU120 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT400DU120G 功能描述:IGBT TRENCH DUAL SRC 1200V SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*