參數資料
型號： APTGT35A120D1
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁數： 2/3頁
文件大小： 185K
代理商： APTGT35A120D1
APTGT35A120D1
A
PT
G
T
35
A
12
0D
1
–
R
ev
0
Ja
nu
ar
y,
20
04
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 3
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
BVCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
VGE = 0V, IC = 1.5mA
1200
V
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1200V
5
mA
Tj = 25°C
1.7
2.1
VCE(on) Collector Emitter on Voltage
VGE = 15V
IC = 35A
Tj = 125°C
2.0
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 1.5mA
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
400
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
Cies
Input Capacitance
2.5
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V, VCE = 25V
f = 1MHz
0.1
nF
Td(on)
Turn-on Delay Time
150
Tr
Rise Time
90
Td(off)
Turn-off Delay Time
550
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 35A
RG = 27
130
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
180
Tr
Rise Time
100
Td(off)
Turn-off Delay Time
650
Tf
Fall Time
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 35A
RG = 27
180
ns
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
Tj = 25°C
1.6
2.1
VF
Diode Forward Voltage
IF = 35A
VGE = 0V
Tj = 125°C
1.6
V
Erec
Reverse Recovery Energy
IF = 35A
VR = 600V
di/dt =990A/s
Tj = 125°C
2.7
mJ
Tj = 25°C
3.7
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 35A
VR = 600V
di/dt =990A/s Tj = 125°C
6.8
C
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max Unit
IGBT
0.6
RthJC
Junction to Case
Diode
0.95
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min,
I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
125
°C
For terminals
M5
2
3.5
Torque Mounting torque
To Heatsink
M6
3
5
N.m
Wt
Package Weight
180
g
Package outline
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PDF描述
APTGT35A120D1G 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT35A120D1 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT35DA120D1 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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APTGT35H120T3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Full - Bridge Trench IGBT Power Module
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