參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT30TL60T3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/6頁(yè)
文件大?。?/td> 211K
代理商： APTGT30TL60T3G
APTC60DDAM35T3
AP
T
C
60
DDAM
35
T
3–
R
ev
1
J
un
e,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
6 - 6
TJ=25°C
TJ=150°C
1
10
100
1000
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
VSD, Source to Drain Voltage (V)
I DR
,R
ever
se
D
rai
n
C
u
rr
en
t
(A
)
Source to Drain Diode Forward Voltage
Delay Times vs Current
td(on)
td(off)
0
50
100
150
200
250
300
350
0
20
40
60
80
100 120
ID, Drain Current (A)
t d(o
n
)a
nd
t
d(
off
)(n
s
)
VDS=400V
RG=2.5
TJ=125°C
L=100H
Rise and Fall times vs Current
tr
tf
0
20
40
60
80
100
120
0
20406080
100
120
ID, Drain Current (A)
t r
a
nd
t
f(n
s
)
VDS=400V
RG=2.5
TJ=125°C
L=100H
Switching Energy vs Current
Eon
Eoff
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0
20406080
100
120
ID, Drain Current (A)
S
w
it
c
h
in
g
E
n
e
rg
y
(
m
J)
VDS=400V
RG=2.5
TJ=125°C
L=100H
Eon
Eoff
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
Gate Resistance (Ohms)
S
w
it
ch
in
g
E
n
er
g
y
(
m
J)
Switching Energy vs Gate Resistance
VDS=400V
ID=72A
TJ=125°C
L=100H
hard
switching
ZCS
ZVS
0
20
40
60
80
100
120
140
15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65
ID, Drain Current (A)
Fr
e
que
nc
y(
k
H
z)
Operating Frequency vs Drain Current
VDS=400V
D=50%
RG=2.5
TJ=125°C
TC=75°C
“COOLMOS comprise a new family of transistors developed by Infineon Technologies AG. “COOLMOS” is a trademark of Infineon
Technologies AG”.
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT35A120D1 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT35A120D1G 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT35A120D1 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT35DA120D1 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT35DA120D1 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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APTGT35A120D1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench IGBT Power Module
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APTGT35A120T1G 功能描述:IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT35DA120D1G 功能描述:IGBT 1200V 55A 205W D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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