參數(shù)資料
型號： APTGT30SK170T1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 45 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 276K
代理商： APTGT30SK170T1G
APTGT30SK170T1G
APTGT30SK
17
0T1G
–
Re
v0
Au
gus
t,2007
www.microsemi.com
5 – 5
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
0
20
40
60
80
100
00.5
1
1.522.5
3
VF (V)
I F
(A)
hard
switching
ZCS
ZVS
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0
10
203040
5060
IC (A)
Fm
ax,
Op
erati
n
g
F
req
uen
cy
(kHz
)
VCE=900V
D=50%
RG=18
TJ=125°C
TC=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
erm
al
I
m
ped
ance
(°C/
W
)
Diode
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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PDF描述
APTGT30TL60T3G 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT35A120D1 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT35A120D1G 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT35A120D1 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT35DA120D1 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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