參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT30A60T1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 273K
代理商： APTGT30A60T1G
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
4/4
AP4002H/J
0.01
0.1
1
10
1
10
100
1000
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
(A
)
T c =25
o C
Single Pulse
100us
1ms
10ms
100ms
1s
DC
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t , Pulse Width (s)
N
o
rmalize
d
T
h
e
rmal
Re
spon
se
(
R
th
jc
)
PDM
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
t
T
0.02
0.01
0.05
0.1
0.2
Duty factor=0.5
Single Pulse
0
4
8
12
16
0
4
8
12
16
Q G , Total Gate Charge (nC)
V
GS
,
G
a
te
to
S
o
u
rc
e
Voltage
(
V
)
I D =2A
V DS =480V
1
10
100
1000
1
5
9
13
17
21
25
29
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
C
(
p
F)
f=1.0MHz
C iss
C oss
C rss
td(on) tr
td(off) tf
VDS
VGS
10%
90%
Q
VG
10V
QGS
QGD
QG
Charge
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PDF描述
APTGT30DA170D1 45 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT30DA170D1 45 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
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