參數(shù)資料
型號: APTGT300SK60
廠商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 430 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-5
文件頁數(shù): 5/5頁
文件大?。?/td> 268K
代理商: APTGT300SK60
APTGT300SK60
A
P
T
G
T
300
S
K
60
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 5
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
100
200
300
400
500
600
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
VF (V)
I C
(A
)
Hard
switching
ZCS
ZVS
0
20
40
60
80
100
120
0
100
200
300
400
500
IC (A)
F
m
a
x
,O
p
er
at
in
g
F
re
q
ue
nc
y(
kH
z)
VCE=300V
D=50%
RG=3.3
TJ=150°C
Tc=85°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration in Seconds
Th
er
m
a
lI
m
pe
da
n
ce
(
°C
/W
)
Diode
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相關PDF資料
PDF描述
APTGT30A170D1G 45 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT30A170D1 45 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT30A170D1 45 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT30DA170T1G 45 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT30DSK60T3 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT300SK60D3G 功能描述:IGBT BUCK CHOPPER 600V 400A D3 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGT300SK60D3G_11 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Buck Chopper Trench + Field Stop IGBT3 Power Module
APTGT300SK60G 功能描述:IGBT 600V 430A 1150W SP6 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGT300TL60G 功能描述:POWER MOD IGBT 3LVL INVERT SP6 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGT300TL65G 功能描述:IGBT 650V SP6C 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):有效 標準包裝:1