參數(shù)資料
型號： APTGT300DU120
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Dual common source Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
中文描述： 雙共源快速戴場站IGBT功率模塊
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 279K
代理商： APTGT300DU120
APTGT300DU120
A
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ T
j
= 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V
V
GE
=15V
I
C
= 300A
V
GE
= V
CE
, I
C
= 4 mA
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
500
2.1
6.5
600
μA
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
1.4
5.0
1.7
2.0
5.8
V
CE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
V
V
GE(th)
I
GES
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
E
on
Turn on Energy
E
off
Turn off Energy
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
V
RRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate – Emitter Leakage Current
V
nA
Test Conditions
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
f = 1MHz
Inductive Switching (25°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 600V
I
C
= 300A
R
G
= 1.8
Inductive Switching (125°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 600V
I
C
= 300A
R
G
= 1.8
Min
Typ
21
1.2
0.9
260
30
420
70
290
50
520
90
30
30
Max
Unit
nF
ns
ns
mJ
Test Conditions
Min
1200
Typ
300
1.6
1.6
170
280
27
54
Max
500
750
2.1
Unit
V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
Tc = 80°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
I
RM
Maximum Reverse Leakage Current
V
R
=1200V
μA
I
F(AV)
Maximum Average Forward Current
50% duty cycle
I
F
= 300A
V
GE
= 0V
A
V
F
Diode Forward Voltage
V
t
rr
Reverse Recovery Time
ns
Q
rr
Reverse Recovery Charge
I
F
= 300A
V
R
= 600V
di/dt =3000A/μs
μC
相關PDF資料
PDF描述
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APTGT30SK170D1 Buck chopper Trench IGBT Power Module
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參數(shù)描述
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