參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT300DA170
廠(chǎng)商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-5
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 268K
代理商： APTGT300DA170
APTGT300DA170
A
P
T
G
T
300
D
A
170
–
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
1 - 5
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
1700
V
TC= 25°C
400
IC
Continuous Collector Current
TC= 80°C
300
ICM
Pulsed Collector Current
TC= 25°C
600
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC= 25°C
1660
W
RBSOA
Reverse Bias Safe Operating Area
Tj = 125°C
600A @ 1600V
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
G2
E2
Q2
0/VBUS
OUT
CR1
VBUS
OUT
0/VBUS
G2
E2
VCES = 1700V
IC = 300A @ Tc = 80°C
Application
AC and DC motor control
Switched Mode Power Supplies
Power Factor Correction
Features
Trench + Field Stop IGBT Technology
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 20 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
Avalanche energy rated
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
Very low stray inductance
-
Symmetrical design
-
M5 power connectors
High level of integration
Benefits
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
Low profile
Boost chopper
Trench + Field Stop IGBT
Power Module
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT300DH60 430 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT300DH60 430 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT300SK170D3G 530 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT300U170D4G 530 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT400A120 500 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT300DA170D3 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:Boost chopper Trench IGBT Power Module
APTGT300DA170D3G 功能描述:IGBT 1700V 530A 1470W D3 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT300DA170G 功能描述:IGBT 1700V 400A 1660W SP6 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT300DA60D3G 功能描述:IGBT 600V 400A 940W D3 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT300DA60D3G_11 制造商:MICROSEMI 制造商全稱(chēng):Microsemi Corporation 功能描述:Boost chopper Trench + Field Stop IGBT3 Power Module
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