參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT225DU170
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module
中文描述： 雙共源戴場(chǎng)站IGBT功率模塊
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 278K
代理商： APTGT225DU170
APTGT225DU170
A
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ T
j
= 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
Test Conditions
V
GE
= 0V, V
CE
= 1700V
V
GE
= 15V
I
C
= 225A
V
GE
= V
CE
, I
C
= 4mA
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
Min
5.0
Typ
2.0
2.4
5.8
Max
500
2.4
6.5
600
Unit
μA
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
V
CE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
V
V
GE(th)
I
GES
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
E
on
Turn-on Switching Energy
E
off
Turn-off Switching Energy
Diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
V
RRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate – Emitter Leakage Current
V
nA
Test Conditions
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
f = 1MHz
Inductive Switching (25°C)
V
GE
= 15V
V
Bus
= 900V
I
C
= 225A
R
G
= 3.3
Inductive Switching (125°C)
V
GE
= 15V
V
Bus
= 900V
I
C
= 225A
R
G
= 3.3
Min
Typ
20
0.8
0.66
370
40
650
180
400
50
800
300
72
70.5
Max
Unit
nF
ns
ns
mJ
Test Conditions
Min
1700
Typ
225
1.8
1.9
385
490
60
96
Max
500
750
2.2
Unit
V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
Tc = 80°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
I
RM
Maximum Reverse Leakage Current
V
R
=1700V
μA
I
F(AV)
Maximum Average Forward Current
50% duty cycle
A
V
F
Diode Forward Voltage
I
F
= 225A
V
t
rr
Reverse Recovery Time
ns
Q
rr
Reverse Recovery Charge
I
F
= 225A
V
R
= 900V
di/dt =2400A/μs
μC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT225SK170 Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT300A120D3 Phase leg Trench IGBT Power Module
APTGT300A120 Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT300A170D3 Phase leg Trench IGBT Power Module
APTGT300A170 Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT225DU170G 功能描述:IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT225SK170 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT225SK170G 功能描述:IGBT 1700V 340A 1250W SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT25A120D1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench IGBT Power Module
APTGT25A120D1G 功能描述:IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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