參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT20TL601G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 32 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大小： 216K
代理商： APTGT20TL601G
APTGT20TL601G
APT
G
T
20T
L
601G
–
Rev0
M
ar
ch,
2009
www.microsemi.com
2- 6
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Q1 to Q4 Electrical Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 600V
250
A
Tj = 25°C
1.5
1.9
VCE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
VGE =15V
IC = 20A
Tj = 150°C
1.7
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 300A
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
300
nA
Q1 to Q4 Dynamic Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
1100
Coes
Output Capacitance
70
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
35
pF
QG
Gate charge
VGE=±15V, IC=20A
VCE=300V
0.2
C
Td(on)
Turn-on Delay Time
110
Tr
Rise Time
45
Td(off)
Turn-off Delay Time
200
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 20A
RG = 12Ω
40
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
120
Tr
Rise Time
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
250
Tf
Fall Time
Inductive Switching (150°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 20A
RG = 12Ω
60
ns
Tj = 25°C
0.11
Eon
Turn-on Switching Energy
Tj = 150°C
0.2
mJ
Tj = 25°C
0.5
Eoff
Turn-off Switching Energy
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 20A
RG = 12Ω
Tj = 150°C
0.7
mJ
Isc
Short Circuit data
VGE ≤15V ; VBus = 360V
tp ≤ 6s ; Tj = 150°C
100
A
RthJC
Junction to Case Thermal Resistance
2.4
°C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT225DU170 340 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT225DU170 340 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT225SK170 340 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT225SK170 340 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT300DA60 430 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT20TL60T3G 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Three level inverter Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT20X60T3G 功能描述:IGBT MODULE TRENCH 3PH BRDG SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT225A170 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT225A170G 功能描述:IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT225DA170 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
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