參數(shù)資料
型號： APTGT200TL60G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 300 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP6, 12 PIN
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 220K
代理商： APTGT200TL60G
APTGT200TL60G
APT
G
T
200T
L
60G
–
Rev0
M
ar
ch,
2009
www.microsemi.com
6- 7
CR1 to CR4 Typical performance curve
Energy losses vs Collector Current
0
1
2
3
4
5
0
50
100
150
200
250
300
IF (A)
E
rr
(m
J)
VCE = 300V
RG = 2.4
TJ = 150°C
0
1
2
3
4
0
2.5
5
7.5
10
12.5
15
Gate Resistance (ohms)
E
rr
(m
J)
VCE = 300V
IC = 150A
TJ = 150°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=150°C
0
50
100
150
200
250
300
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
VF (V)
I F
(A)
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration in Seconds
Th
e
rm
a
lIm
p
e
da
nc
e
(
°C
/W)
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PDF描述
APTGT20DDA60T3 32 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT20DDA60T3 32 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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