參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT200DU60T
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module
中文描述： 雙共源戴場(chǎng)站IGBT功率模塊
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 287K
代理商： APTGT200DU60T
APTGT200DU60T
A
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ T
j
= 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
Test Conditions
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
V
GE
=15V
I
C
= 200A
V
GE
= V
CE
, I
C
= 2 mA
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
Min
5.0
Typ
1.5
1.7
5.8
Max
250
1.9
6.5
400
Unit
μA
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
V
CE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
V
V
GE(th)
I
GES
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
E
on
Turn on Energy
E
off
Turn off Energy
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
V
RRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate – Emitter Leakage Current
V
nA
Test Conditions
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
f = 1MHz
Inductive Switching (25°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 300V
I
C
= 200A
R
G
= 5
Inductive Switching (150°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 300V
I
C
= 200A
R
G
= 5
Min
Typ
12.3
0.8
0.4
115
45
225
55
130
50
300
70
3.5
7
Max
Unit
nF
ns
ns
mJ
Test Conditions
Min
600
Typ
200
1.6
1.5
130
225
9
19
Max
250
500
2
Unit
V
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
Tc = 80°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
I
RM
Maximum Reverse Leakage Current
V
R
=600V
μA
I
F(AV)
Maximum Average Forward Current
50% duty cycle
I
F
= 200A
V
GE
= 0V
A
V
F
Diode Forward Voltage
V
t
rr
Reverse Recovery Time
ns
Q
rr
Reverse Recovery Charge
I
F
= 200A
V
R
= 300V
di/dt =2200A/μs
μC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT200H120 Full - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200H60 Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200SK120D3 Buck chopper Trench IGBT Power Module
APTGT200SK120 Buck chopper Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200SK60T Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT200DU60TG 功能描述:POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT200H120 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Full - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200H120G 功能描述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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