參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT150X120E3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, E3, 33 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 284K
代理商： APTGT150X120E3G
APTGT150X120E3G
A
P
T
G
T
150
X
120E
3G
–
R
ev
1
J
anua
ry,
2006
APT website – http://www.advancedpower.com
3 - 5
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.18
RthJC
Junction to Case Thermal resistance
Diode
0.34
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
125
°C
Torque Mounting torque
To Heatsink
M5
3
4.5
N.m
Wt
Package Weight
300
g
E3 Package outline (dimensions in mm)
PIN 1
PIN 21
ALL DIMENSIONS MARKED " * " ARE TOLERENCED AS :
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT150X120TE3 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200A120 280 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200A120 280 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200A170D3 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200A170D3G 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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APTGT200A120G 功能描述:POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT200A170D3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench IGBT Power Module
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