參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT150TDU60P
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Triple Dual Common Source Trench + Field Stop IGBT Power Module
中文描述： 三雙共源戴場(chǎng)站IGBT功率模塊
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 291K
代理商： APTGT150TDU60P
APTGT150TDU60P
A
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (V
GE
=15V)
T
J
=25°C
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=150°C
0
50
100
150
200
250
300
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
CE
(V)
I
C
(
Output Characteristics
V
GE
=15V
V
GE
=13V
V
GE
=19V
V
GE
=9V
0
50
100
150
200
250
300
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
CE
(V)
I
C
T
J
= 150°C
Transfert Characteristics
T
J
=25°C
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=150°C
0
50
100
150
200
250
300
5
6
7
8
V
GE
(V)
9
10
11
12
I
C
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eon
Eoff
Er
0
2
4
6
8
10
0
50
100
150
I
C
(A)
200
250
300
E
V
CE
= 300V
V
GE
= 15V
R
G
= 6.8
T
J
= 150°C
Eon
Eon
Eoff
Eoff
Er
0
4
8
12
16
20
5
10
15
20
25
30
35
40
Gate Resistance (ohms)
E
V
CE
= 300V
V
GE
=15V
I
C
= 150A
T
J
= 150°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
50
100
150
200
250
300
350
0
100
200
300
400
500
600
700
V
CE
(V)
I
C
V
GE
=15V
T
J
=150°C
R
G
=6.8
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.00001
0.0001
0.001
Rectangular Pulse Duration in Seconds
0.01
0.1
1
10
T
IGBT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT150X120E3G 3 Phase bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200A120D3 Phase leg Trench IGBT Power Module
APTGT200A120 Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200A60T Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200DH120 Asymmetrical - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT150TDU60PG 功能描述:IGBT MODULE TRPL DUAL SRCE SP6P RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT150TL60G 功能描述:IGBT 3-LEVEL INVERTER 600V SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT150X120E3G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:3 PHASE BRIDGE TRENCH + FIELD STOP IGBT POWER MODULE 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGT200A120 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200A120D3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench IGBT Power Module
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