參數(shù)資料
型號： APTGT150DH170
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Asymmetrical - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
中文描述： 非對稱-橋戴場站IGBT功率模塊
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 281K
代理商： APTGT150DH170
APTGT150DH170
A
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ T
j
= 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
Test Conditions
V
GE
= 0V, V
CE
= 1700V
V
GE
= 15V
I
C
= 150A
V
GE
= V
CE
, I
C
= 3mA
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
Min
5.0
Typ
2.0
2.4
5.8
Max
350
2.4
6.5
600
Unit
μA
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
V
CE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
V
V
GE(th)
I
GES
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
E
on
Turn-on Switching Energy
E
off
Turn-off Switching Energy
Diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
V
RRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate – Emitter Leakage Current
V
nA
Test Conditions
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
f = 1MHz
Inductive Switching (25°C)
V
GE
= 15V
V
Bus
= 900V
I
C
= 150A
R
G
= 4.7
Inductive Switching (125°C)
V
GE
= 15V
V
Bus
= 900V
I
C
= 150A
R
G
= 4.7
Min
Typ
13.5
0.55
0.44
370
40
650
180
400
50
800
300
48
47
Max
Unit
nF
ns
ns
mJ
Test Conditions
Min
1700
Typ
150
1.8
1.9
385
490
40
64
Max
350
600
2.2
Unit
V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
Tc = 80°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
I
RM
Maximum Reverse Leakage Current
V
R
=1700V
μA
I
F(AV)
Maximum Average Forward Current
50% duty cycle
A
V
F
Diode Forward Voltage
I
F
= 150A
V
t
rr
Reverse Recovery Time
ns
Q
rr
Reverse Recovery Charge
I
F
= 150A
V
R
= 900V
di/dt =1600A/μs
μC
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PDF描述
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參數(shù)描述
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APTGT150DH60TG 功能描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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