參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT150DH120
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-8
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 271K
代理商： APTGT150DH120
APTGT150DH120
A
P
T
G
T
150
D
H
120
–
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
1 - 5
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
1200
V
TC= 25°C
220
IC
Continuous Collector Current
TC= 80°C
150
ICM
Pulsed Collector Current
TC= 25°C
350
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC= 25°C
690
W
RBSOA
Reverse Bias Safe Operating Area
Tj = 125°C
300A @ 1150V
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
VBUS
OUT2
CR3
0/VBUS
E4
Q4
G4
OUT1
CR2
Q1
G1
E1
G4
E4
VBUS
G1
E1
0/VBUS
OUT2
OUT1
VCES = 1200V
IC = 150A @ Tc = 80°C
Application
Welding converters
Switched Mode Power Supplies
Switched Reluctance Motor Drives
Features
Fast Trench + Field Stop IGBT Technology
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 20 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
Avalanche energy rated
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
Very low stray inductance
-
Symmetrical design
-
M5 power connectors
High level of integration
Benefits
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
Low profile
Asymmetrical - Bridge
Fast Trench + Field Stop IGBT
Power Module
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT150DH120 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT150DU120 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT150DU120 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT150H170 250 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT150H170 250 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT150DH120G 功能描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT150DH170 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Asymmetrical - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT150DH170G 功能描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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APTGT150DU120 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
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