參數(shù)資料
型號： APTGT150DA120D1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, D1, 7 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 179K
代理商： APTGT150DA120D1G
APTGT150DA120D1G
APTG
T150DA120
D1G
–
Rev
1
D
ecem
ber,
2009
www.microsemi.com
3- 4
Thermal and package characteristics
Symbol
Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.18
RthJC
Junction to Case Thermal Resistance
Diode
0.34
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
4000
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
125
°C
For terminals
M5
2
3.5
Torque Mounting torque
To Heatsink
M6
3
5
N.m
Wt
Package Weight
180
g
D1 Package outline (dimensions in mm)
Typical Performance Curve
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
300
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
VF (V)
I F
(A
)
Hard
switching
ZCS
ZVS
0
10
20
30
40
50
10
50
90
130
170
210
IC (A)
F
m
ax
,Ope
rat
in
g
Fre
quen
cy
(
k
H
z
)
VCE=600V
D=50%
RG=4.7
TJ=125°C
TC=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
Ther
m
al
Im
peda
nce
(
°C
/W
)
Diode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT200DA60T 290 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200DA60T 290 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT300DA120D3G 440 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT30X60T3G 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT400U120D4G 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT150DA120D3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Boost Chopper Trench IGBT Power Module
APTGT150DA120DX 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGT150DA120G 功能描述:IGBT 1200V 220A 690W SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT150DA120TG 功能描述:IGBT 1200V 200A 690W SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT150DA12DX 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*