參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT150A60T3AG
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 225 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 197K
代理商： APTGT150A60T3AG
APTGT150A60T3AG
APT
G
T
150A60T
3AG
–
Rev
0
M
ay,
2009
www.microsemi.com
2 – 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 600V
250
A
Tj = 25°C
1.5
1.9
VCE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
VGE =15V
IC = 150A
Tj = 150°C
1.7
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 1.5 mA
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
400
nA
Dynamic Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
9200
Coes
Output Capacitance
580
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
270
pF
QG
Gate charge
VGE= ±15V ; VCE=300V
IC=150A
1.6
C
Td(on)
Turn-on Delay Time
115
Tr
Rise Time
45
Td(off)
Turn-off Delay Time
225
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 150A
RG = 3.3Ω
55
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
130
Tr
Rise Time
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
300
Tf
Fall Time
Inductive Switching (150°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 150A
RG = 3.3Ω
70
ns
Tj = 25°C
0.85
Eon
Turn on Energy
Tj = 150°C
1.5
mJ
Tj = 25°C
4.1
Eoff
Turn off Energy
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 150A
RG = 3.3Ω
Tj = 150°C
5.3
mJ
Isc
Short Circuit data
VGE ≤15V ; VBus = 360V
tp ≤ 6s ; Tj = 150°C
750
A
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
600
V
Tj = 25°C
150
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR = 600V
Tj = 150°C
400
A
IF
DC Forward Current
Tc = 100°C
150
A
Tj = 25°C
1.6
2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 150A
VGE = 0V
Tj = 150°C
1.5
V
Tj = 25°C
100
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 150°C
150
ns
Tj = 25°C
7.2
Qrr
Reverse Recovery Charge
Tj = 150°C
15.2
C
Tj = 25°C
1.7
Er
Reverse Recovery Energy
IF = 150A
VR = 300V
di/dt =2800A/s
Tj = 150°C
3.6
mJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT150DA170D1 280 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT150DA170D1G 280 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT150DA170D1 280 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT150DA60T3AG 225 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT150DA60T 225 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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APTGT150DA120D1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Boost chopper Trench IGBT Power Module
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APTGT150DA120D3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Boost Chopper Trench IGBT Power Module
APTGT150DA120DX 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
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