參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT150A60T1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 225 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 275K
代理商： APTGT150A60T1G
APTGT150A60T1G
APTGT150A60T1
G
–
Re
v0
Augus
t,2007
www.microsemi.com
4 – 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
50
100
150
200
250
300
00.5
11.5
22.5
3
VCE (V)
I C
(A)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=19V
VGE=9V
0
50
100
150
200
250
300
0
0.5
11.5
22.5
33.5
VCE (V)
I C
(A)
TJ = 150°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
50
100
150
200
250
300
5
6
7
8
9
10
11
12
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Er
0
2
4
6
8
10
0
50
100
150
200
250
300
IC (A)
E
(
m
J
)
VCE = 300V
VGE = 15V
RG = 3.3
TJ = 150°C
Eon
Eoff
Er
0
2
4
6
8
10
12
0
5
10
15
20
25
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J)
VCE = 300V
VGE =15V
IC = 150A
TJ = 150°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
50
100
150
200
250
300
350
0
100 200 300 400 500 600 700
VCE (V)
I F
(A
)
VGE=15V
TJ=150°C
RG=3.3
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration in Seconds
T
h
er
ma
lImpe
da
nc
e(°
C/W
)
IGBT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT150A60T3AG 225 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT150DA170D1 280 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT150DA170D1G 280 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT150DA170D1 280 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT150DA60T3AG 225 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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APTGT150DA120D1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Boost chopper Trench IGBT Power Module
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APTGT150DA120D3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Boost Chopper Trench IGBT Power Module
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