參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT150A120T3AG
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 200K
代理商： APTGT150A120T3AG
APTGT150A120T3AG
APT
G
T
150A120T
3AG
–
Rev
0
July,
2008
www.microsemi.com
2 – 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1200V
250
A
Tj = 25°C
1.7
2.1
VCE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
VGE = 15V
IC = 150A
Tj = 125°C
2.0
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 3 mA
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
400
nA
Dynamic Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
10.7
Coes
Output Capacitance
0.56
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
0.48
nF
QG
Gate charge
VGE= ±15V ; VCE=600V
IC=150A
1.4
C
Td(on)
Turn-on Delay Time
280
Tr
Rise Time
40
Td(off)
Turn-off Delay Time
420
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 150A
RG = 2.2Ω
75
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
290
Tr
Rise Time
45
Td(off)
Turn-off Delay Time
520
Tf
Fall Time
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 150A
RG = 2.2Ω
90
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
Tj = 125°C
14
Eoff
Turn-off Switching Energy
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 150A
RG = 2.2Ω
Tj = 125°C
16
mJ
Isc
Short Circuit data
VGE ≤15V ; VBus = 900V
tp ≤ 10s ; Tj = 125°C
600
A
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
1200
V
Tj = 25°C
350
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=1200V
Tj = 125°C
600
A
IF
DC Forward Current
Tc = 100°C
150
A
Tj = 25°C
1.6
2.1
VF
Diode Forward Voltage
IF = 150A
VGE = 0V
Tj = 125°C
1.6
V
Tj = 25°C
170
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
280
ns
Tj = 25°C
14
Qrr
Reverse Recovery Charge
Tj = 125°C
28
C
Tj = 25°C
6
Er
Reverse Recovery Energy
IF = 150A
VR = 600V
di/dt =2500A/s
Tj = 125°C
11
mJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT150A120T 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT150A120T 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT150A120 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT150A120 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT150A170D1 280 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT150A120TG 功能描述:IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT150A170 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT150A170D1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench IGBT Power Module
APTGT150A170D1G 功能描述:IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT150A170D3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench IGBT Power Module
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