參數(shù)資料
型號： APTGT150A120D1
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 185K
代理商： APTGT150A120D1
APTGT150A120D1
A
PT
G
T
15
0A
12
0D
1
–
R
ev
0
D
ec
em
be
r,
20
03
APT website – http://www.advancedpower.com
1 - 3
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
1200
V
TC = 25°C
220
IC
Continuous Collector Current
TC = 80°C
150
ICM
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
350
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC = 25°C
700
W
SCSOA Short Circuit Safe Operating Area
Tj = 125°C
600A@900V
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
2
1
3
5
Q2
7
6
Q1
4
6
7
5
4
3
2
1
VCES = 1200V
IC = 150A @ Tc = 80°C
Application
Welding converters
Switched Mode Power Supplies
Uninterruptible Power Supplies
Motor control
Features
Trench + Field Stop IGBT Technology
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 20 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
Avalanche energy rated
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
Low stray inductance
-
M5 power connectors
High level of integration
Benefits
Outstanding performance at high frequency
operation
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
Phase Leg
Trench IGBT Power Module
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT150A120T3AG 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT150A120T 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT150A120T 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT150A120 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT150A120 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT150A120D1G 功能描述:IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT150A120D3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench IGBT Power Module
APTGT150A120D3G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGT150A120G 功能描述:IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT150A120T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
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