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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APTGT100TA60P |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-21 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 283K |
| 代理商： | APTGT100TA60P |
APTGT100TA60P
A
P
T
G
T
100
T
A
60P
–
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
3 - 5
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.44
RthJC
Junction to Case
Diode
0.77
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
175
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
100
°C
Torque Mounting torque
To heatsink
M6
3
5
N.m
Wt
Package Weight
250
g
Package outline (dimensions in mm)
5 places (3:1)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT100TDU60P | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT100TDU60P | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT100TL60T3G | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT100X120E3 | 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT100X120E3 | 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APTGT100TA60PG | 功能描述:IGBT MODULE TRPL PHASE LEG SP6P RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGT100TDU120TPG | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Triple Dual Common Source Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT100TDU60P | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Triple Dual Common Source Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT100TDU60PG | 功能描述:IGBT MODULE TRIPLE DUAL SRC SP6P RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGT100TL170G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:PWR MOD IGBT 3LEVEL INVERTER SP6 |
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