參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT100H170
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 150 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-12
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 274K
代理商： APTGT100H170
APTGT100H170
A
P
T
G
T
100
H
170
–
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
1 - 5
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
1700
V
TC= 25°C
150
IC
Continuous Collector Current
TC= 80°C
100
ICM
Pulsed Collector Current
TC= 25°C
200
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC= 25°C
560
W
RBSOA
Reverse Bias Safe Operating Area
Tj = 125°C
200A @ 1600V
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
G4
0/VBUS
E3
Q3
G3
OUT2
VBUS
E1
Q1
G1
E4
Q4
OUT1
E2
Q2
G2
E2
G2
G4
E4
E3
G1
E1
0/VBUS
VBUS
OUT2
OUT1
G3
VCES = 1700V
IC = 100A @ Tc = 80°C
Application
Welding converters
Switched Mode Power Supplies
Uninterruptible Power Supplies
Motor control
Features
Trench + Field Stop IGBT Technology
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 20 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
Avalanche energy rated
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
Very low stray inductance
-
Symmetrical design
-
M5 power connectors
High level of integration
Benefits
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
Low profile
Full - Bridge
Trench + Field Stop IGBT
Power Module
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT100H60T 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100H60T 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100SK120T 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100SK120T 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100SK60T 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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