參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT100DH120TG
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, MODULE-14
文件頁(yè)數(shù)： 5/5頁(yè)
文件大?。?/td> 282K
代理商： APTGT100DH120TG
APTGT100DH120TG
A
P
T
G
T
100
D
H
120
T
G
–
R
ev
1
O
ct
obe
r,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 5
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
V
F (V)
I C
(A
)
Hard
switching
ZCS
ZVS
0
10
20
30
40
50
60
0
20
40
60
80
100 120 140
I
C (A)
Fma
x,
O
p
er
at
ing
Fr
eque
nc
y
(k
H
z)
VCE=600V
D=50%
RG=3.9
TJ=125°C
Tc=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
al
Im
pe
da
nc
e(°C
/W
)
Diode
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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PDF描述
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APTGT100SK120D1G 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100SK170D1 200 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100SK170D1 200 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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APTGT100DH170G 功能描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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APTGT100DSK60T3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
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