參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT100DA60T3AG
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 199K
代理商： APTGT100DA60T3AG
APTGT100DA60T3AG
APT
G
T
100DA60
T
3AG
–
Rev
0
M
ay,
2009
www.microsemi.com
1 – 5
16
15
18
20
23 22
13
11 12
14
8
7
29
30
28 27 26
3
32
31
10
19
2
25
4
Pins 29/30/31/32 must be shorted together
Pins 26/27/28/22/23/25 must be shorted together
to achieve a phase leg
Pins 16/18/19/20 must be shorted together
Absolute maximum ratings
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed. See application note
APT0502 on www.microsemi.com
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
600
V
TC = 25°C
150
IC
Continuous Collector Current
TC = 100°C
100
ICM
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
200
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC = 25°C
416
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area
Tj = 150°C
200A @ 550V
Application
AC and DC motor control
Switched Mode Power Supplies
Power Factor Correction
Features
Trench + Field Stop IGBT Technology
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 20 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
RBSOA and SCSOA rated
Very low stray inductance
Kelvin emitter for easy drive
Internal thermistor for temperature monitoring
High level of integration
AlN substrate for improved thermal performance
Benefits
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Solderable terminals both for power and signal for
easy PCB mounting
Low profile
RoHS Compliant
Boost chopper
Trench + Field Stop IGBT
Power Module
VCES = 600V
IC = 100A @ Tc = 100°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT100DA60T 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100DA60T 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100DH120TG 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100DH120TG 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100DH60T3G 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT100DA60TG 功能描述:IGBT 600V 150A 340W SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT100DDA60T3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT100DDA60T3G 功能描述:IGBT MOD TRENCH BOOST CHOP SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT100DH120TG 功能描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT100DH170 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Asymmetrical - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
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